Пошуковий запит: (<.>A=Panchekha P$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 7
Представлено документи з 1 до 7
|
|
| | |
|
1. |
Panchekha P. A. Modulated structure of fullerene - bismuth vacuum deposits = Модульована структура вакуумних конденсатів фулерен - вісмут / P. A. Panchekha, A. L. Toptygin // Укр. фіз. журн. - 2001. - 46, № 5-6. - С. 610-613. - Библиогр.: 10 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + Г741
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
2. |
Panchekha P. A. Detection of twins in textured CuInSesub2/sub films / P. A. Panchekha, M. Yu. Shvedun // Functional Materials. - 2001. - 8, № 2. - С. 325-328. - Бібліогр.: 7 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: К232.102.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
3. |
Panchekha P. A. Structure and technology problems of Asub2/subBsub6/sub semiconductor films / P. A. Panchekha // Functional Materials. - 2000. - 7, № 2. - С. 261-265. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
4. |
Panchekha P. A. Formation factors of stable nanocrystalline thin films / P. A. Panchekha, A. G. Basov // Functional Materials. - 2003. - 10, № 3. - С. 395-401. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.Проаналізовано експериментальні дані про концентрацію та температурну стабільність міжзеренних границь і дефектів упаковки у тонких плівках металів з нанокристалічною структурою. Зроблено висновок, що утворення цих дефектів під час конденсації зменшує вільну енергію тонких плівок. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + К202.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
5. |
Panchekha P. A. Structure model of bistable current switching in CdS films / P. A. Panchekha, V. A. Novikov // Functional Materials. - 2004. - 11, № 2. - С. 273-278. - Бібліогр.: 11 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
6. |
Boyko B. T. Study of structure and electrical properties of doped ZnO films produced by reactive magnetron sputtering / B. T. Boyko, N. A. Kovtun, P. A. Panchekha, G. S. Khrypunov, A. I. Chernikov // Functional Materials. - 2001. - 8, № 4. - С. 653-658. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: Г582
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
| | |
|
7. |
Panchekha P. A. Structure factor of the gas sensitivity improvement of bilayer tin dioxide films / P. A. Panchekha, V. A. Novikov // Functional Materials. - 2005. - 12, № 1. - С. 17-20. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.Виконано порівняльні дослідження електропровідності та газочутливості плівок діоксиду олова двох типів: одношарових і двошарових. Площу вільної поверхні двошарових плівок умисно збільшено за допомогою нанесення другого шару у формі тонкого нанодисперсного шару діоксиду олова з сильно розвинутим рельєфом. Показано, що за однакової товщини газочутливість двошарових плівок у 2 - 4 рази є вищою, ніж одношарових. Цю та інші відмінності двошарових плівок пояснено їх підвищеною адсорбційною здатністю та, відповідно, більш значним збідненням шару вільними носіями заряду за адсорбції кисню. Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.413.1-2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|